[设备]第二代原子层沉积系统

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发布：2016-04-05

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	中文名称：	第二代原子层沉积系统
	英文名称：	The Second Generation of Atomic Layer Deposition
	仪器编号：
	仪器型号：	RH-200
	生产厂家：	自搭
	放置位置：	柔性电子制造实验室

功能介绍

原子层沉积设备利用两种/多种不同前驱体交替通入至腔体内部并依次反应，在给定基底上沉积原子层级别薄膜。设备包含RV12真空泵, YDS-10液氮容器，ALD阀门，前驱体钢瓶，气动角阀，气体质量流量计以及管路及加工腔体。

技术特点：

1.沉积非均匀性非均匀性<±1%。

2.最大φ4英寸基板，可容纳多片其他规格样品同时沉积。

3.最大可容纳四种前驱体源同时工作。

4.生长模式连续和停留沉积模式任意选择。

5.控制系统 PLC+显示器。

6.ALD阀 Swagelok快速高温ALD专用阀。

主要技术参数

·载气流量控制：100-500 sccm

·基板加热温度：25～200℃

·本底真空： <3x10-1Torr，进口防腐泵

·载气系统： N2

·电源： 50-60Hz，220V/20A交流电源

应用范围

单一前驱体以及多种前驱体的原子层沉积镀膜。